普通LED灯

目前销售的GaN类半导体绿色LED效率低下的原因主要在于压电场。压电场是指因结晶构造的应力而导致的压电极化所产生的电场。市场上销售的绿色LED多是以GaN结晶的极性面c面(0001)为成长面,以其法线方向(c轴)为成长轴的层积GaN类半导体层等。通过改变成长轴来减弱压电极化,以与GaN类结晶的c面垂直的称为a面或m面的非极性面,或者相对于c面倾斜的半极性面为成长面,以每个面的法线方向为成长轴的绿色LED的研究非常活跃。
淘宝购买 在线咨询
产品介绍

发射绿光的二极管。发光中心波长在560nm左右。用于霓虹灯和指示器、LED显示器的光源以及液晶面板的背照灯光源等。


绿色LED与红色LED及蓝色LED相比,被认为尚有较大的改进余地。组合红色LED、绿色LED和蓝色LED构成LED显示器或液晶面板的背照灯光源时,为了调制成亮度高且均衡的白色,考虑到人眼的视觉灵敏度,RGB三色LED光量的分配比例需为约3:6:1或者约3:7:1。因绿色LED的亮度不足,因此必须使用多个绿色LED来提高输出功率。绿色LED主要使用的GaN类半导体材料比用于蓝色LED时的效率低,输入相同的电力,光输出功率较低。


这种状况开始出现改观。日本国内外的大学和LED芯片" title="LED芯片">LED芯片厂商等已开始着手研究通过改变GaN结晶的成长面,来大幅提高效率。如果GaN类半导体的结晶面得以改变,有可能会将绿色LED的效率提高至目前的2倍以上。


目前销售的GaN类半导体绿色LED效率低下的原因主要在于压电场。压电场是指因结晶构造的应力而导致的压电极化所产生的电场。市场上销售的绿色LED多是以GaN结晶的极性面c面(0001)为成长面,以其法线方向(c轴)为成长轴的层积GaN类半导体层等。通过改变成长轴来减弱压电极化,以与GaN类结晶的c面垂直的称为a面或m面的非极性面,或者相对于c面倾斜的半极性面为成长面,以每个面的法线方向为成长轴的绿色LED的研究非常活跃。


相关产品